一、概述
電壓無(wú)功綜合控制，其含義就是在電壓處于允許的范圍內(nèi)時(shí)，以控制無(wú)功為主，保證功率因數(shù)在設(shè)定的范圍內(nèi)，而當(dāng)電壓超出范圍時(shí)則不再以保證功率因數(shù)為主而改為以電壓為主來(lái)調(diào)節(jié)磁控電抗器輸出的無(wú)功功率。
電壓無(wú)功補(bǔ)償控制器適用于6kV、10kV、27.5kV、35kV的電網(wǎng)中，對(duì)并聯(lián)磁控電抗器進(jìn)行電壓無(wú)功綜合控制，以滿足電網(wǎng)無(wú)功功率供需平衡，改善供電電壓質(zhì)量，減少電能損耗。
控制器通過(guò)控制可控硅的導(dǎo)通角，調(diào)節(jié)加在磁控電抗器上的直流勵(lì)磁的大小，從而電抗器磁路的飽和程度就得以控制，達(dá)到控制電抗器輸出容量的目的。對(duì)應(yīng)的電抗器的容量在0~100%連續(xù)可調(diào)�？梢院碗娙萜髀�(lián)合提供正負(fù)可調(diào)的無(wú)功功率，其調(diào)整的范圍由配裝的并聯(lián)電抗器和并聯(lián)電容器的容量決定。
因?yàn)榭梢钥刂戚敵龈行詿o(wú)功功率連續(xù)可調(diào)，并具有很快的響應(yīng)時(shí)間、很高的精度控制功率因數(shù)和系統(tǒng)電壓，功率因數(shù)可以控制達(dá)到0.999，僅此網(wǎng)損就可以降低20%左右。
一、特點(diǎn)
1）采用32位MCU作為主CPU，配置大容量的RAM和Flash Memory；數(shù)據(jù)運(yùn)算、邏輯處理和信息存儲(chǔ)能力強(qiáng)，可靠性高，運(yùn)行速度快。
2）采用14位A/D作為數(shù)據(jù)采集，測(cè)量精度高。
3）采用圖形液晶，全中文顯示菜單式人機(jī)交互；可實(shí)時(shí)顯示各種運(yùn)行狀態(tài)及數(shù)據(jù)，信息詳細(xì)直觀，操作、調(diào)試方便。
4）可靈活設(shè)置系統(tǒng)及磁控電抗器參數(shù)。
5）可對(duì)系統(tǒng)的有功功率、無(wú)功功率、電壓有效值、電流有效值、功率因數(shù)等進(jìn)行全面的監(jiān)控與測(cè)量。
6）過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、電抗器過(guò)溫保護(hù)、電抗器過(guò)流保護(hù)、電抗器輕重瓦斯保護(hù)、三相不平衡保護(hù)等多種保護(hù)功能。
7）大容量的信息記錄：可保存不小于100個(gè)最近發(fā)生的歷史報(bào)告，掉電保持，便于事故分析。
8）可選101規(guī)約和MODBUS規(guī)約，設(shè)有RS-485 通信接口；組網(wǎng)經(jīng)濟(jì)、方便，可直接與微機(jī)監(jiān)控或保護(hù)管理機(jī)聯(lián)網(wǎng)通訊。
二、控制器測(cè)量精度
1）各模擬量的測(cè)量誤差不超過(guò)額定值的± 0.2%。
2）功率測(cè)量誤差不超過(guò)額定值的± 0.5%。
3）開(kāi)關(guān)量輸入電壓(DC 24V)，分辨率不大于2ms。
三、控制器額定數(shù)據(jù)
1）電源電壓： AC 220V
2）額定交流數(shù)據(jù)：相電壓： 100/V
交流電流：5A
額定頻率：50Hz
3）熱穩(wěn)定性：交流電壓回路：長(zhǎng)期運(yùn)行 1.2Un
4）交流電流回路：長(zhǎng)期運(yùn)行 2In
5）Is 40In
注釋?zhuān)篒s：物體由原子組成，每個(gè)原子的核外電子繞原子核高速旋轉(zhuǎn)，電子旋轉(zhuǎn)就形成了“電流環(huán)”，這個(gè)電流就是Is。也是產(chǎn)生分子磁矩的原因。介質(zhì)在磁場(chǎng)中，Is（電流環(huán)）有序整齊的排列，并且分子電流的環(huán)流方向都一致（分子磁矩方向一致），在介質(zhì)內(nèi)部相鄰的Is抵消掉了，只有表面的is沒(méi)有相鄰的，抵消不掉。這樣宏觀上，介質(zhì)表面就有一層電流，這個(gè)就是磁化電流Is。
四、控制器抗干擾性能
1）脈沖群干擾：能承受GB/T14598.13-1998 規(guī)定的頻率為1MHz及100kHz衰減振蕩波(第一半波電壓幅值共模為2.5kV，差模為1kV)脈沖群干擾試驗(yàn)。
2）快速瞬變干擾：能承受GB/T14598.10-1997 第四章規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅳ級(jí)的快速瞬變干擾試驗(yàn)。
3）輻射電磁場(chǎng)干擾：能承受GB/T14598.9-1995第四章規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅲ級(jí)的輻射電磁場(chǎng)干擾試驗(yàn)。
4）靜電放電：能承受GB/T14598.14-1998 中4.1規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅲ級(jí)的靜電放電試驗(yàn)。
5）控制器測(cè)量精度
a各模擬量的測(cè)量誤差不超過(guò)額定值的±0.2%。
b功率測(cè)量誤差不超過(guò)額定值的±0.5%。
c開(kāi)關(guān)量輸入電壓(DC 24V)，分辨率不大于2ms。
五、控制器參數(shù)整定定值
1）運(yùn)行控制字：①電壓無(wú)功控制 ② 電壓控制 ③ 功率因數(shù)控制 ④ 無(wú)功功率控制
2）運(yùn)行電壓上限：1kV~500kV
3）運(yùn)行電壓下限：1kV~500kV
4）COS設(shè)定值：0~1.000
5）無(wú)功設(shè)定值：0~10000kvar
6）電壓變比：0~1000
7）電流變比：0~1000
8）電抗器額定電流：0~1000A
9）電抗器額定電壓：1kV~500kV
10）過(guò)壓定值：1kV~500kV
11）過(guò)壓恢復(fù)定值：1kV~500kV
12）過(guò)流定值：1kV~500A
13）過(guò)壓延時(shí)：0~60s
14）過(guò)流延時(shí)：0~60s
15）輕瓦斯延時(shí)：0~60s
16）重瓦斯延時(shí)：0~60s
17）溫度延時(shí)：0~60s
18）裝置MODBUS通信地址：0~247
19）通信速率：①600bps ②200bps ③2400bps ④4800bps ⑤9600bps ⑥19200bps
20）通信規(guī)約：①101規(guī)約（設(shè)備調(diào)試） ②MODBUS規(guī)約
六、控制器告警信息
1）過(guò)壓告警：
2）過(guò)流告警：
3）輕瓦斯告警：壓力達(dá)到25kpa告警
4）重瓦斯跳閘：壓力達(dá)到35kpa跳閘
5）溫度告警：鉑電阻達(dá)到85°C報(bào)警
鉑電阻達(dá)到105°C跳閘
6）三相不平衡保護(hù)：磁控電抗器三相最大與最小電流比大于1.3，電抗器最小電流大于0.3倍的額定電流時(shí)間超過(guò)5秒動(dòng)作。
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